iPhone 内部芯片是什么样?苹果iPhone 6/ 6 Plus各个芯片大剖析（图赏）

　　iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 已经达到消费者的手中，也落到了拆解爱好者手中。很多人都好奇 iPhone 的内部是什么样的芯片。通过拆解我们得知了 iPhone 的电池容量、RAM 大小。那么如何了解 iPhone 6 /6 Plus 的芯片呢，那只能通过剖析图了，我们喜欢的 Chipwork 很快带来 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 内部芯片的剖析图。

　　首先我们从正面欣赏 iPhone 6 主板的细节图：

正面







下面是背面的细节图：

iPhone 6 Plus 主板和零件大图：

正面细节图：





背面细节图：

NFC 控制器：

　　根据恩智浦的 NFC 控制器记录，以及泄露的 iPhone 6 主板图片，由此猜测苹果采用的 NFC 控制器是恩智浦的 PN544，或者是其衍生产品。普遍认为，苹果总有一天会开放 NFC 的功能，不仅仅用于 Apple Pay。由此也可猜测，苹果可能采用的是标准的 NFC 控制器，而非定制的型号。

　　如今解剖主板发现 65V10 的装置，由此可以肯定，苹果采用的 NFC 控制器型号为 PN548，是 PN544 和 PN547 的变种。行内人识别出，这是恩智浦为苹果稍作修改设计的芯片。如果这是真的，那苹果拿到这块芯片至少有 18 个月了。因为根据芯片上的标记看到，芯片设计定稿日期是在 2012 年。事实上，PN548 芯片上的模具标记只是跟 PN 547 略微不同。

NXP                       NXP
2012                       2012
7PN547V0B         7PN548V0C

　　有趣的是，PN548 第二层模具称为“008”，模具封装的标记是 2013 年的。但是在 PN547 上没有看到这样的封装。008 模具上方有一些神秘的密集金属层。这是不是 NFC 芯片的安全元素装置？时间会告诉我们。

6轴加速计和陀螺仪

　　iPhone 6 Plus 另一个令人不高兴的地方是加速计和陀螺仪。传统上，苹果是用意法半导体的芯片，但是这次用了 InvenSense 公司的。新的加速计和陀螺仪的零件号是 MP67B。根据 InvenSense 公司的网站，MPU 系列的均是与独立指南针和 APU 接口的 6 轴装置。

指南针

　　过去在 iPhone 内置的指南针一直是 AKM 半导体公司的芯片。三星、LG、摩托罗拉、华为、中兴等厂商也都是用 AKM 的指南针。但是令人费解的是，在 PCB 找不到 AKM 零件的影子，只看到 InvenSense MPU7 系列传感器，旁边则是一块 2mm x 2mm 的博世传感器装置。起初误以为这是 eCompass 指南针芯片，但封装尺寸和标记跟博世网站公布的又不符。经过剖析发现，这跟许多手机内置的 BMA280（博世的加速计）很像。问题出现了：指南针哪儿去了？为什么苹果要在手机内置两个加速计？

A8 芯片

　　下面到大家最关注的 A8 芯片了。苹果表示，A8 芯片内置 20 亿个晶体管（是A7的两倍），采用了 TSMC 的 20纳米制程。大小有 89mm²，比 A7 小 13%（A7 是 102 mm²）。A8 在 CPU 处理速度提升 25%，图形显示速度提升 50%。如果跟第一代 iPhone 相比，CPU 速度超出其 50 倍，图形显示速度超出 84 倍。在能源效率方面，A8 比 A7 提升 50%，希望这是大屏 iPhone 能够控制耗电的好兆头。

　　我们看到的是 PoP 封装的内存部分，实际的 A8 芯片藏在底下。封装的标记透露出以下信息：一，苹果改变了惯用的零件编号，通常是“98”为后缀，比如 A4 编号 APL0398，A5 是 APL0498，到现在 A8 是 APL 1011；另外，顶端部分的 DRAM 仅 1GB，相比之下，其他手机至少有 3GB。

　　A8 封装底部的标记跟正面的不同。日期代码是 1434，意味着这一芯片从封装工厂运往富士康代工厂，再摆上零售店货架，历时仅 6 周。

　　A8 延续了从 A7 开始的三排焊接球，以前只有两排，因为芯片的图形处理能力增强了，产生的热量也越多，所以要采用这样的设计。顶层封装的存储器没有改变。

　　A8 模具尺寸 8.5mm x 10.5mm = 89.25mm²。目前还没能百分百证明这是由台积电代工的。截面图表明，有 10 层金属堆栈。

　　可以肯定的是，接触点的间距小于 90纳米，跟高通的 MDM9235 相符，他们的 20 纳米制程的芯片就是由台积电代工的。接触点的间距是测量一台设备芯片制造工艺节点，由此得出这一芯片是采用什么制程的制造工艺。

iSight 和 FaceTime 摄像头

　　2013 年，苹果首次推出两种不同版本的 iPhone。每个版本的 iSight 规格也不同。今年，苹果继续推出两个版本的 iPhone，其中 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 的 iSight 摄像头也是不同的。

　　根据苹果的介绍，新一代 iSight 摄像头采用相位检测自动对焦（AF）系统。据说焦点像素能让新一代 iSight 摄像头比上一代的自动对焦速度提升两倍。iPhone 6 Plus 还额外添加了光学图像稳定（OIS）。新 iPhone 视频录制性能已经达到 1080p 30/60 fps，慢速录像能达到 240 帧。　　这些得益于 A8 的图像信号处理器和镜头系统，但代价就是摄像头必须突出。iPhone 6 Plus 的 iSight 摄像头安装在一个 10.6毫米点¯x9.3毫米点¯x5.6毫米厚的相机模块中，由索尼制造，iSight 摄像头芯片采用 Exmor RS 堆叠、背照式 CMOS 图像传感器，具有 1.5 µm 的像素（iPhone 5s 就已经有）。芯片尺寸为 4.8毫米×6.1毫米（29.3平方毫米）。

　　无论是 iPhone 6 还是 iPhone 6 Plus，FaceTime 的像素仍然保留 120 万，倒是光圈增大了（可增加 80% 的光进入）。

德州仪器触觉驱动器 

　　德州仪器DRV2604触觉驱动器在 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 都有看到，用于设备的震动。

　　高通的 Qualcomm QFE1100 envelope tracking DC-DC regulator，在今年的很多手机也有发现了，仅今年就有超过 16 款手机采用这种芯片，三星 Galaxy 系列也在用。

　　以上就是苹果iPhone 6/ 6 Plus各个芯片大剖析图，谢谢大家阅读！

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