Intel将试验生产7nm芯片:提高性能速度实现更长续航
我要评论据外媒报道，英特尔日前在业绩电话会议上透露，为了进一步探索芯片生产工艺，公司将在今年建立一座7nm试验工厂。这座工厂虽然产能有限，但却为未来7nm芯片的生产奠定了基础。
英特尔宣布将试验生产7nm芯片（图片来自baidu）
“这条试验生产线是为了搞清楚如何进行芯片的量产。”Mercury Research首席分析师Dean McCarron说道，“一旦确定了制作工艺，其他的工厂就会进行复制。”英特尔表示，他们将试图凭借着7nm工艺回到2年生产周期，同时使用更智能的芯片设计。
英特尔介绍，7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料（比如氮化镓）来进行芯片生产，在提高性能速度的同时实现更长续航。
此外，英特尔还希望利用7nm去缓解他们在14/10nm处理器上遇到的一些挑战。据悉，他们将会在生产中引入极紫外线（EUV）工具，来帮助进行更加精细的功能蚀刻。但在此之前，这项技术的实装已经被延期数次。
英特尔的试验工厂将会测试7nm芯片生产工艺。虽然他们并未提及会在何时开始这种芯片的量产，但至少不会在未来2-3年内。
目前，包括Globalfoundries和三星在内的芯片厂商也开始了在7nm工艺上的探索。Globalfoundries表示，他们将在2018年开始7nm芯片的生产，ARM也发布了7nm芯片的设计工具。但目前我们并不清楚Globalfoundries是否会进行7nm芯片的测试生产，还是直接开始大批量生产。
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