谁是PCIe4.0质价比之王? 致态TiPlus7100s和三星990 EVO Plus对比测评

如果要描述近期的存储市场，用“涨价”二字来形容显然再合适不过。这意味着如果用户的预算有限，那么在装机或升级电脑存储系统时，应尽可能地采用高质价比固态硬盘。简单来说，在预算一定的情况下，应该选择性能更强、品质更好的产品才能让钱花得更值。而目前侧重性能、价格相近的高质价比固态硬盘主要有致态TiPlus7100s、三星990 EVO Plus这两款产品。那么这两款产品谁更值得购买呢？接下来就让我们通过实战对比测试来一探究竟。

两款高质价比固态硬盘解析

测试之前，首先让我们来了解一下两款产品。本次测试我们将使用它们的2TB产品进行对比。其中致态TiPlus7100s固态硬盘是致态经典产品TiPlus7100的升级版，它采用了全新的主控与闪存芯片。其主控芯片换为更加先进、基于DRAMLESS架构（无独立缓存）的PCIe 4.0 x4 4通道主控，支持HMB主机内存缓冲技术，可占用少量系统内存来临时保存已从闪存读取的数据、需要写入闪存的数据，以及地址映射表，从而有效提升SSD的I/O性能，无须再使用独立的内存颗粒作缓存，可有效降低SSD的功耗与发热量。搭配SLC Cache智能缓存技术的运用，SSD能够提供稳定、高速的传输体验效果。

致态TiPlus7100s固态硬盘最大的升级之处，在于该产品采用基于长江存储晶栈Xtacking4.0架构的TLC闪存颗粒。相比Xtacking3.0架构TLC闪存颗粒，其IO接口速率从之前的2400MT/s提升到了3600MT/s，因此可以为固态硬盘带来更高的吞吐率，更好的性能表现，并借助更先进的生产工艺，有效降低闪存的发热量与工作温度。

▲致态TiPlus7100s固态硬盘2TB内部结构，搭配PCIe 4.0 DRAMLESS主控芯片、Xtacking4.0架构TLC闪存颗粒。

根据致态官方数据，致态TiPlus7100s 1TB产品的标称顺序读写速度分别为7400MB/s、6900MB/s，标称随机4K读写性能分别可达1500K IOPS，其标称写入寿命为600TBW；2TB产品的标称顺序读写速度分别为7400MB/s、6900MB/s，标称随机4K读写性能分别可达1400K IOPS、1500K IOPS，标称写入寿命为1200TBW；4TB产品的标称顺序读写速度各为7400MB/s、6900MB/s，标称随机4K读写性能分别为1200K IOPS、1500K IOPS，4TB产品的标称写入寿命为2400TBW。同时得益于高品质长江存储原厂颗粒的采用，其全系产品均拥有长达5年的质保时间，让用户能放心使用。

▲IO接口速率达3600MT/s的Xtacking4.0架构TLC闪存颗粒

▲三款不同容量的致态TiPlus7100s固态硬盘详细技术规格

三星990 EVO Plus也采用DRAMLESS架构设计，其主控为三星的Piccolo 4通道控制器，基于5nm FinFET工艺打造，并设计有镀镍涂层，可以降低主控工作温度。这款固态硬盘同样通过HMB技术共享内存容量来存储缓存数据与FTL映射表，其闪存则是由三星第8代V-NAND技术打造的V NAND TLC闪存颗粒，单颗容量达到2TB。因此，本次测试的三星990 EVO Plus 2TB结构很简单，只由1颗小小的主控芯片与1颗闪存芯片组成。

▲三星990 EVO Plus 2TB产品由1颗主控芯片与1颗闪存芯片组成

性能方面，根据三星官方数据，三星990 EVO Plus 1TB的标称顺序读写速度分别为7150MB/s、6300MB/s，标称随机4K读写性能分别为850K IOPS、1350K IOPS，其标称写入寿命为600TBW；2TB产品的标称顺序读写速度分别为7250MB/s、6300MB/s，标称随机4K读写性能分别可达1000K IOPS、1350K IOPS，标称写入寿命为1200TBW；4TB产品的标称顺序读写速度各为7250MB/s、6300MB/s，标称随机4K读写性能分别为1050K IOPS、1400K IOPS，4TB产品的标称写入寿命为2400TBW，质保时间均为5年。可以看到，除了标称写入寿命、质保时间相同外，全系三星990 EVO Plus的顺序读写速度、随机读写性能都比致态TiPlus7100s相同容量的产品低。那么在实际测试中，这样的差距是否存在呢？

▲全系三星990 EVO Plus的标称性能规格都低于相同容量的致态TiPlus7100s

测试平台

• 主板：华硕B850M AYW GAMING OC WIFI 7 W
• 处理器：锐龙9 9950X
• 内存：芝奇Trident Z5 Neo焰锋戟RGB DDR5 6000 CL28 32GB套装
• 硬盘：致态TiPlus7100s 2TB
• 三星990 EVO Plus 2TB
• 显卡：GeForce RTX 5090 D v2
• 电源：鑫谷GM1250W
• 操作系统：Windows 11 25H2

致态TiPlus7100s在基准测试中优势明显

首先从基准测试来看，致态TiPlus7100s 2TB的优势非常明显。其顺序读写速度均小幅超越标称规格，分别为7471.64MB/s、6976.87MB/s。而三星990 EVO Plus的顺序读写速度分别只有7251.23MB/s、6201.86MB/s，不仅明显落后致态TiPlus7100s 2TB，而且其顺序写入速度也没有达到官方标称的6300MB/s。随机性能方面，致态TiPlus7100s 2TB的随机4K读取性能达到1404665 IOPS，小幅超越标称的1400K IOPS，其随机4K写入性能则达到1594954 IOPS，相比标称的1500K IOPS明显超出。而三星990 EVO Plus 2TB的随机4K读取性能达到标称规格，测试成绩为1012144 IOPS，但随机4K写入性能则依然离标称的1350K IOPS有一段距离，其测试成绩只有1288660 IOPS。总体而言，致态TiPlus7100s 2TB在高队列深度、多线程环境下的随机4K读写性能大幅领先三星990 EVO Plus 2TB。

再来看与游戏、程序启动等消费级应用关系密切的随机4K Q1T1测试，虽然双方都没有给出这一性能的标称指标，但测试结果显示致态TiPlus7100s 2TB的优势仍很明显。致态TiPlus7100s 2TB的随机4K Q1T1测试成绩达到19099.12 IOPS，三星990 EVO Plus 2TB的测试结果只有16120.61 IOPS，前者领先18.5%，这意味着致态TiPlus7100s 2TB很可能有更快的游戏启动速度、更短的程序数据读写耗时。

最后在其他磁盘性能测试中，致态TiPlus7100s 2TB也全面领先三星990 EVO Plus。比如其AS SSD Benchmark测试总分为11570，三星990 EVO Plus 2TB只有10198分，前者领先多达13.4%；在PerformanceTest 11.1磁盘测试中，致态TiPlus7100s 2TB的得分达到56885分，可以击败全球98%的其他存储设备，而三星990 EVO Plus 2TB的得分只有46913分，只能击败全球92%的其他存储设备，前者成绩领先后者多达21.3%。而致态TiPlus7100s 2TB之所以能在这些测试中一马当先，还是得益于其在各个子项测试中有明显优势。比如致态TiPlus7100s 2TB在PerformanceTest 11.1磁盘测试的顺序读写测试成绩分别为7477MB/s、6976MB/s，而三星990 EVO Plus 2TB的顺序读写速度分别只有7289MB/s、5638MB/s。同时，致态TiPlus7100s的随机32KQD20测试成绩相对三星990 EVO Plus也有大幅领先。

▲三星990 EVO Plus 2TB的PerformanceTest 11.1磁盘测试成绩细节，读写性能均未达到标称规格。

▲致态TiPlus7100s 2TB的PerformanceTest 11.1磁盘测试成绩细节，读写性能均达到标称规格，相对三星产品优势明显。

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