骁龙835怎么样？高通骁龙835亮点特性全面解析

在毫无征兆的情况下高通突然公布了2017年的旗舰芯片骁龙835，骁龙835是骁龙820/821的继任者，是高通明年春季开始供货的最高端手机芯片，笔者作为手机重度发烧友，对于旗舰手机芯片尤其关注，去年笔者印象深刻的骁龙820是在双11期间也就是11月11日发布的，今年的继任者骁龙835相比去年晚了一周时间，那么骁龙835有哪些值得期待的点呢？

高通骁龙835

①更先进的制程

高通官方宣称骁龙835采用的是三星半导体最新的10nm制程工艺，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。

而根据半导体制程工艺的规律来看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升级，10nm是半导体技术从14/16nm节点向7nm过渡的中间节点，7nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而10nm算是一个不太重要的节点，其实包括台积电的10nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达明年的GTX系列显卡依然会是16nm工艺。

②更强的CPU

据传言此次骁龙835采用8核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点，而如果是八核设计，那骁龙835的单核性能注定不会特别强悍，至少不会超过苹果A10芯片的单核性能，要不然功耗问题难以解决。

③更强的GPU

伴随着VR时代的到来，VR对手机图形处理能力的要求要比以往高得多，骁龙820搭载的Adreno 530GPU即使发布一年了性能依然强悍，在手机端的性能仅次于目前苹果A10的GPU，而骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。

由于苹果A10的GPU相比高通骁龙820/821上的Adreno 530领先幅度并不是太大，所以骁龙835的GPU性能超过苹果A10基本是没有问题的，何况A10还是16nm工艺，但由于iOS与安卓平台的优化不同实际游戏表现就另说了。

④全新的图形API：Vulkan

其实高通骁龙820/821就已经支持Vulkan这一革命性的API，只不过Vulkan的生态还不够完善，所以除了三星曾经在S7 edge上演示过Vulkan游戏其他的笔者就没啥印象了，真正让Vulkan为大众所知的是华为海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan。

之所以说Vulkan是革命性的，是因为它对GPU性能的释放起到至关重要的作用，改善CPU对GPU性能的限制，使多核GPU真正发挥出应有的性能。

⑤更快的充电速度

高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。

⑥深度学习的人工智能

骁龙820内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的人工智能，毕竟如今包括谷歌在内的企业都在重视人工智能，人工智能在未来会颠覆很多现有的东西。

⑦更强的ISP/DSP

随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，但具体如何实现只有等骁龙835真正发布时才知道了，而新一代的Hexagon DSP预计会带来更好的待机表现。

⑧更快的基带

笔者今年去过几次高通的沙龙会，高通高管透露其下一代基带是下行速率高达1Gbps的X16基带，无疑好马配好鞍，骁龙835会首次采用X16基带。但在这里笔者要泼一下冷水，因为高通的客户并不仅仅是手机厂商，还包括电信运营商，所以1Gbps下载速率的带宽显然不是为主流人群准备的，要想达到这么高的下载速率还需要运营商的支持，至少在中国，明年三大运营商肯定不会商用高达1Gbps下行速率的网络，但不得不说高通的技术实力很强，虽然普通消费者用不到，但能够做出这么牛的基带就是一种能力，是技术实力的展现。

⑨更高的内存带宽

据传言骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。

骁龙835可能依然仍存在的不足：

①峰值性能的持续性问题

CPU发热降频一直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片一发热就降频，导致性能下降，这一点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙820在峰值性能持续性上依然不如苹果A9，所以骁龙835会有何改进值得期待。

②三星电子的产能是否能跟上

去年高通发布骁龙820之后在很长一段时间内的供货一直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给三星S7/S7 edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这一问题可能依然会持续，不过到了2018年这一问题有望缓解，有传言高通会在2018年的半导体7nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期三星的全网通基带也已成熟，所以高通与三星可能就此分道扬镳，笔者预计三星Galaxy S9会全部采用自家Exynos系列芯片。

③骁龙835是否会像骁龙810出现过热问题

至于骁龙835是否有一定几率出现骁龙810过热问题，笔者认为，10nm相较14/16nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，7nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对64位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙835不大可能会出现过热问题。

另外值得关注的点：哪家手机厂商首发骁龙835其实并无意义

至于今年底或者明年初哪家手机厂商首发骁龙835，其实这更多的是象征意义，实际意义不大，因为明年骁龙835真正首批开始大规模供应的手机可能依然会是三星的S8系列，一方面，高通骁龙835是三星半导体代工的，另一方面，高通抛弃台积电选择三星作为芯片代工厂商也是有条件的，在三星还没搞定全网通基带的情况下依然会在有全网通需求的国家比如中国、美国市场采用高通芯片，在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

除了三星S8，目前已经确认还有明年初发布的小米6、OPPO Find 9也均将搭载骁龙835处理器。下面，我们主要简单来分别介绍下骁龙835一些值得重点关注的特性部分。

10nm工艺QC4.0快充 三星S8首发骁龙835吗？

近日，高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge 4.0快充技术。

三星S8或首发搭载高通骁龙835

高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

据悉，今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

除了骁龙835处理器之外，高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术，支持骁龙835处理器。QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C的支持，适配范围更广泛。

网友热议：

麒麟960刚刚赶上高通821的性能，这还没有两个月，835又要出来了，你让花粉情何以堪？？

华为的麒麟面对骁龙就已经十分吃力了。这个835对于华为会是一个巨大的挑战了。

高通骁龙835是几核？高主频重回八核

虽然八核心设计的骁龙810没有获得好评，四核心设计的骁龙820却大获成功。但在下一代骁龙835身上，高通又要重回八核心设计了。在曝光Helio X30/P35规格的同时，业内人士@草包科技还透露了骁龙835和骁龙660的具体规格，有兴趣的不妨一看。

高通骁龙835是几核？高主频重回八核

具体来说，骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率3GHz，小核心频率2.4GHz，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄、QC4.0以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

虽然高通表示搭载骁龙835的手机会在明年初上市，但@草包科技的表格显示要到明年二季度才能看到骁龙835手机。

接着是骁龙660，同样是八核心设计，不过工艺换成了14nm，架构为A73和A53组合，GPU为Adreno 512，支持2K屏。

其余规格还包括双通道LPDDR4x内存、LTE Cat.10基带，QC4.0、以及UFS 2.1等等。此外，搭载骁龙660的手机有望在明年第三季度和我们见面。

高通骁龙835基带规格公布 搭载X16 LTE千兆基带

高通今天在深圳举办技术会议，官方明确表示，下一代骁龙800处理器将搭载X16 LTE基带。

其实X16 LTE首次公布在今年2月，它是全球首款移动平台千兆Modem，用以取代骁龙820/821上的X12基带。所谓的下一代骁龙800系列应该至少包括刚刚宣布的骁龙835芯片。

X16基带支持Cat.16，下行速率可达1Gbps，也就是千兆，而X12为600Mbps（Cat.12 DL)，150Mbps（Cat.13 UL）。

当然，要达到理论峰值，需要支持4x20MHz CA、256-QAM和4×4MIMO，澳洲电信在9月份联合高通和爱立信实测了979Mbps的下载和129Mbps的上传。

关于骁龙835的其他特性，目前确定的还有三星10nm FinFET制程，性能提升27%等，外界认为这是一款8核Big.Little芯片，大核是Kryo 200，主频逼近3GHz。

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