挑战8200高频! 光威神武DDR5-7000内存条评测

  发布时间:2024-12-06 10:09:31   作者:佚名   我要评论
光威神武DDR5 16GBx2 7000 CL32内存套装发布以后,让游戏竞技玩家的又一选择,让普通玩家随手可得,也再次展示了光威在技术创新与性价比上的不懈追求,下面我们就来看看详细测评

点亮后,在独特造型的铠甲加持下,导光条透出了炫彩的灯效,亮度均匀,让内存更加炫酷出彩。同时配合各大板厂的灯控软件,实现整机的神光现步,视觉更加协调统一。

光威神武DDR5-7000 16Gx2内存性能测试:

通过CPU-Z软件,SPD信息栏,可以查看到光威神武DDR5-7000 16Gx2内存的基础信息。

可同时支持AMD EXPO和Intel XMP 3.0技术,各自预设了两组频率,最重要的是EXPO-7000或XMP-7000,时序都是CL32-42-42-112,电压为1.45V。

直接XMP:

我们直接开启XMP,这时光威神武DDR5-7000内存就工作在7000MHz频率下,时序为CL32-42-42-112。这时,内存读取速度达到105GB/s,写入速度达到93GB/s左右,复制速度也有95GB/s左右,延迟降至61ns,这个成绩表现可圈可点,远超过一些CL40时序 7000频率的D5内存。

我们在XMP-7000频率 CL32时序下,跑了PerformanceTest内存性能测试,总得分快接近4000分了。

超频体验:

进入BIOS后,提供DDR5-XMP超频选项,根据内存参数,我们选择Hynix X.M.P. 8000 16GB 38-54-54-128-1.5V选项,这是板厂提前帮我们优化好的内存超频大致参数。我们再来细调,比如在内存频率那里,再拉到8200MHz。

调节CPU VDDQ电压,在1.3-1.4V之间调整,经过摸索,我们这里设定为1.32V。

然后进入内存高级电压设定,修改内存电压和内存VDDQ电压为1.55V和1.54V,VPP启动电压为1.93V。

经过一番操作摸索,成功将光威神武DDR5-7000内存,从7000频率超到8200高频,时序拉高至CL40。

这时内存性能更进一步,读取速度快124GB/s,写入速度突破120GB/s,复制速度也有近117GB/s,延迟降至55ns,近乎天花板的性能水准。

再来跑PerformanceTest内存性能测试,达到4705分,相比没超频前,提升了近20%,嘎嘎香。

总结:

首先在外观上,光威神武DDR5-7000 16Gx2套装有颜有光,可盐可甜,将黑武士或白色海景房间主机都能完美搭配。

再者性能方面,精选海力士A-Dies颗粒,高规格散热马甲,XMP预设7000MHz的高频+CL32低时序,性能输出强悍,不管是玩游戏还是生产力都能轻松拿捏。

对于超频的玩家,它特别能超,我们超到8200没有遇到太多阻力,带来性能提升非常明显,可玩性高。

最后是价格了,859元的售价,还是很亲民的,不用花大价钱,就能体验到这样一款全能内存,高端平台必须安排起来。

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