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ASML扩张路线图出炉!华尔街集体唱多,内存见顶论不攻自破

2026-07-15 23:07:38 | 来源:本站整理 | 作者:佚名
ASML二季度营收93亿欧元超预期,毛利率54%领跑,并宣布2027-2028年EUV产能各扩30%,高盛、摩根大通集体看多,指出DDR/HBM供应偏紧推动需求,内存价格'2028年见顶'论已站不住脚,

ASML扩张路线图出炉!华尔街集体唱多,内存见顶论不攻自破

ASML二季度营收93亿欧元远超预期,并罕见给出2027至2028年产能扩张路线图。高盛、摩根大通等集体看多,指出AI驱动下DDR与HBM供应偏紧,2026年内存营收预计同比增75%,EUV及先进浸没式需求强劲,"2028年见顶"论为时过早。

ASML交出一份远超预期的二季度成绩单,并大幅上调全年指引,同时罕见地给出2027至2028年产能扩张路线图,直接回应了市场对AI驱动需求能否持续的核心疑虑。华尔街主要投行随即集体发声,高盛、摩根大通、巴克莱等机构一致维持或重申买入评级,认为此次业绩彻底验证了AI供应瓶颈论,并对内存价格"2028年见顶"的看空叙事构成有力反驳。

ASML二季度营收93亿欧元,超彭博市场共识89亿欧元,毛利率54%大幅领先51%-52%的指引区间。公司随即将2026年全年营收指引从360亿至400亿欧元上调至430亿至450亿欧元,中位数较市场共识高出约11%;全年毛利率指引亦上调至54%-56%。更关键的是,管理层明确表示将在2027年和2028年分别扩大约30%的低数值孔径EUV及浸没式DUV产能,这一表态直接触发市场对2028年盈利预期的大幅上修。

消息公布后,ASML阿姆斯特丹股价上涨约4%,纳斯达克100指数期货同步上涨约40个基点。SK Hynix首尔上市股票单日飙升8.8%,补涨此前其美国存托凭证27%的涨幅。高盛维持买入评级,12个月目标价2000欧元,较当前股价隐含约29%上行空间;摩根大通同样维持增持,目标价1900欧元。

业绩全面超预期,三季度指引更令市场惊喜

ASML二季度各项核心财务指标均超出市场预期。据高盛研报,二季度营收93.27亿欧元,较市场共识高出6%;息税前利润34.56亿欧元,超出共识13%;每股收益7.58欧元,超出共识约11%。毛利率54%不仅远超指引上限,亦较市场共识高出约230个基点。

三季度指引同样大幅超出预期。公司预计三季度营收110亿至120亿欧元,中位数较市场共识高约11%;毛利率指引55%-57%,意味着三季度息税前利润将较市场共识高出约26%。据摩根大通研报,三季度营收中位数115亿欧元较共识高12%,毛利率中位数56%较共识高350个基点。

摩根大通分析师Sandeep Deshpande指出,此次业绩超预期部分由已安装基础管理(IBM)业务驱动,该业务收入较预期高出约3亿欧元,软件主导的生产力升级及EUV服务安装基础的持续扩大,预计将推动该业务今年实现逾30%的增长,为毛利率提供额外支撑。

产能扩张路线图超出买方预期,2028年盈利潜力大幅重估

此次业绩最受市场关注的,是管理层对2027至2028年产能扩张的明确表态。ASML表示,将在2026年约65台低数值孔径EUV产能基础上,于2027年扩产约30%至约85台,并正在研究2028年再扩产30%至约110台。与此同时,DUV浸没式产能亦将从2026年约130台扩至2027年约169台,2028年进一步扩至约220台。

据高盛测算,上述产能规划意味着2027/2028年低数值孔径EUV出货量将达85/110台,远超市场共识的85/89台;浸没式DUV出货量将达169/220台,同样大幅超出共识的137/146台。

摩根大通指出,2028年产能指引已超出该行此前作为卖方最高预测的水平。据粗略测算,若上述产能规划落地,ASML 2028年每股收益将超过65欧元,叠加已安装基础管理业务的强劲势头,实际盈利或更高。高盛交易台评论亦指出,2028年约110台的EUV产能目标已落入"超级乐观区间"(110至120台),远超卖方约89台的共识预期。

高盛表示,ASML已基本锁定2027年所需的大部分EUV订单,并已收到相当数量的2028年订单,管理层将订单接收情况描述为"极为强劲"。

AI需求加速,逻辑与内存双线扩张

管理层明确表示,AI驱动的需求在逻辑芯片和内存两大领域持续强化,支撑客户在先进制程节点进一步扩产。在先进逻辑领域,ASML指出客户正同步在5/4/3纳米节点增加产能以满足AI需求,同时尽可能激进地推进2纳米量产,并开始为1.4纳米制程过渡做准备。公司预计2026年先进逻辑营收同比增长约25%。

内存方面,ASML表示DDR和HBM供应偏紧正推动客户加速投资,EUV及先进浸没式光刻强度的提升进一步拉动设备需求。公司预计2026年内存营收同比增长约75%。

高盛交易台评论指出,随着内存市场向HBM4/HBM5及传统服务器DRAM所需的先进1c/1d纳米节点过渡,内存制造正经历根本性的范式转变。1c DRAM的EUV层数已增至五层以上,而1d和0a代计划在所有层中全面采用EUV技术。深紫外光多次图形化工艺已触及物理极限,ASML因此成为这一结构性转型的主要受益者。

高盛进一步指出,HBM所需的晶圆强度远高于传统DRAM,这种双重扩张正严重挤压全球晶圆厂产能,推动内存价格在更长时间内保持高位。鉴于向先进节点过渡的结构性复杂性,那些预测内存价格将在2028年前见顶或供应缺口将显著缓解的看空论点"听起来为时过早"。

华尔街集体背书,分歧仅在于2027年指引是否足够激进

多家主要投行在业绩发布后迅速发表正面评价,但对2027年EUV产能指引的解读存在细微分歧。

巴克莱分析师Simon Coles表示,ASML给出了投资者所期待的大部分内容,2027和2028年低数值孔径EUV产能指引应能减少市场对公司是否受供应约束的争议,并指出上半年低数值孔径EUV订单金额可能高达220亿欧元,达到历史纪录水平。

摩根大通的Sandeep Deshpande认为,尽管公司未能在2027年达到90台EUV产能,但"我们认为这无关紧要",因为2028年EUV及DUV产能指引远超预期,且2026年营收增速约35%已超出当前市场对晶圆厂设备行业整体增速的预期,公司实际上已在引导未来两年约30%的增长。

摩根士丹利分析师Lee Simpson则指出,尽管公司不再披露订单数据,但管理层表示上半年订单接收持续"非常强劲",客户正寻求加速产能扩张,这预示着2027年销售势头强劲。

Jefferies分析师Janardan Menon持相对审慎立场,认为公司展望评论喜忧参半,已安装基础管理业务销售额及毛利率的强劲增长尤为积极,但2027年EUV指引低于近期大幅攀升的市场预期。

Oddo BHF则预计市场共识盈利预测将上调约20%,并表示"ASML仍是无可匹敌的技术主导地位的故事,现在受益于AI驱动的根本不同的周期"。

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